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domingo, 21 de agosto de 2016

Memorias electronicas

MEMORIAS

DEFINICIONES BASICAS

Dirección
  Número que identifica de manera única uno y solo un registro de una memoria. Para cada registro de la memoria hay una y solo una dirección. Está especificada en binario, por sencillez se representa normalmente en Hex.

Ciclo de Lectura

  Conjunto de acciones que se ejecutan para obtener un registro específico de la memoria y hacerlo disponible en las salidas. Se inicia cuando se establece la dirección y termina cuando se establece otra dirección.
Ciclo de Escritura


   Conjunto de acciones que se ejecutan para cambiar e contenido de un registro específico de la memoria. Se inicia cuando se establece la dirección y termina cuando se establece otra dirección.

BUS de Direcciones

  Conjunto de señales digitales que especifican las direcciones en un sistema digital.
BUS de Datos

   Conjunto de señales digitales que representan y transmiten los datos en un sistema digital.
BUS de Control

   Conjunto de señales digitales que conducen los comandos que controlan el funcionamiento de un sistema digital.

Celda de Memoria

Dispositivo o circuito eléctrico que se usa para almacenar un solo bit (0 o 1).

Palabra de Memoria

Grupo de bits (celdas) en una memoria que representa instrucciones o datos de algún tipo

Byte

Termino especial que se usa para una palabra de 8 bits. Un byte siempre consta de 8 bits, que es el tamaño de palabra mas común en las microcomputadoras.

Capacidad

Forma de especificar cuantos bits pueden almacenarse en un dispositivo de memoria particular o bien en un dispositivo de memoria completo


Dirección

Numero que identifica la localidad de una palabra en la memoria. Cada palabra almacenada en un dispositivo de memoria o sistema de memoria tiene una dirección única. 

Operación de Lectura

Es la operación mediante la cual una palabra binaria almacenada en una localidad (dirección) especifica de la memoria es captada y después transferida a otra localidad.

Operación de Escritura

Es por medio de la cual se coloca una nueva palabra en cierta localidad de memoria.

Tiempo de Acceso

Medida de la velocidad del dispositivo de memoria. Es la cantidad de tiempo que se requiere para realizar una operación de lectura.

Tiempo de Ciclo

Otra medida de la velocidad del dispositivo de memoria. Es la cantidad de tiempo necesario para que la memoria realice una operación de lectura o escritura y después regrese a su estado original lista para ejecutar el siguiente comando.

Operación de Lectura

Es la operación mediante la cual una palabra binaria almacenada en una localidad (dirección) especifica de la memoria es captada y después transferida a otra localidad.

Operación de Escritura

Es por medio de la cual se coloca una nueva palabra en cierta localidad de memoria.

Tiempo de Acceso

Medida de la velocidad del dispositivo de memoria. Es la cantidad de tiempo que se requiere para realizar una operación de lectura.

Tiempo de Ciclo

Otra medida de la velocidad del dispositivo de memoria. Es la cantidad de tiempo necesario para que la memoria realice una operación de lectura o escritura y después regrese a su estado original lista para ejecutar el siguiente comando.

Memoria Volátil

Cualquier tipo de memoria que requiera la aplicación de energía eléctrica a fin de almacenar información. Si se retira la energía eléctrica, toda la información almacenada en la memoria se perderá.


Memoria de Acceso Aleatorio (RAM)

Memoria en la cual la localización física real de una palabra de la memoria no tiene efecto sobre el tiempo que tarde en leer de esa localidad o bien escribir en ella.


Memoria de Acceso Secuencial (SAM)

Tipo de memoria en el cual el tiempo de acceso no es constante, sino que varia según la localidad de la dirección.


Memoria de Lectura y Escritura (RWM)

Cualquier memoria de la que pueda leerse información o bien escribirse en ella con la misma facilidad.

Memoria de Solo Lectura (ROM)

 Vasta clase de memorias semiconductoras diseñadas para aplicaciones donde la proporción de operaciones de lectura a     operaciones de escritura es muy alta.

Dispositivos de Memoria Estática

Dispositivos de memoria semiconductora en los cuales los datos almacenados se quedaran permanentemente guardados en tanto se aplique energía, sin necesitar reescribir periódicamente los datos en la memoria.

Dispositivo de Memoria Dinámica

Dispositivos de memoria semiconductora en los cuales los datos almacenados no se quedaran permanentemente guardados, aun con energía aplicada, a menos que los datos se reescriban en forma periódica en la memoria. La ultima operación se conoce como operación de refresco.

OPERACION GENERAL DE LA MEMORIA

 Independientemente de su construcción, todas las memorias requieren varios tipos diferentes de líneas de entrada y salida para desempeñar las funciones siguientes:
1.- Seleccionar la dirección de la memoria que este siendo accesada para una operación de lectura o escritura.
2.- Seleccionar una operación de lectura o bien de escritura para ser efectuada.
3.- Proporcionar los datos de entrada para ser almacenados en la memoria durante una operación de escritura.
4.- Contener los datos de salida que vienen de la memoria durante una operación de lectura.
5.- Activar (o desactivar) la memoria de manera que responda (o no) a las entradas de dirección y al comando
de Lectura/Escritura.

n Acceso al Contenido de una Memoria.


nMemorias de Lectura y Escritura.

Memorias de Acceso Aleatorio RAM

  Dispositivos volátiles de lectura y escritura. Se puede acceder a cualquier dirección en cualquier momento y con la misma rapidez. Se usan para datos y/o programas temporales. Los ciclos de operación son muy rápidos para no reducir el desempeño del sistema.

RAM Estáticas

  Tienen celdas de memoria basadas en flip-flop. Sus ventajas son la velocidad y sencillez de de trabajo. Su desventaja es la poca capacidad debido al gran espacio que requiere un flip-flop.

RAM Dinámicas
   Compuestas de celdas de memoria basadas en condensador. Sus ventajas son gran capacidad y velocidad. Su desventaja necesitan refrescarse y circuitería para tal efecto.

n RAM Estáticas SRAM.


n RAM Estáticas SRAM – Ciclo General de Escritura.


n RAM Estáticas SRAM – Ds2016 Ciclo de Lectura (Tiempos).


n RAM Dinámicas DRAM - Arquitectura.

 RAM Dinámicas DRAM.




nMemorias Solo Lectura y Predominantemente Lectura.

nMemorias EEPROM.



- Tienen ciclos de escritura más rápidos que las EPROM.
- El borrado puede ser direccionable.
- Tienen menor capacidad que las EPROM.
- Son más versátiles y se presentan con canal de datos seriales.
- En algunas aplicaciones sustituyen a memorias RAM cuando la velocidad no es fundamental.

nMemorias EPROM.




BANCO DE MEMORIA

Expansión del número de registros

  En esta configuración se persigue aumentar el número de registros totales del banco. Para implementar es necesario que los buses de datos sean comunes mientras los buses de dirección y control no son comunes.
Expansión simultánea

  Se aplica en forma simultánea la expansión del tamaño de palabra y del número de registros.
Mapa de memoria

  Es un diagrama que muestra el uso que se da a las direcciones de una memoria o un banco de estas. Se construye indicando la dirección inicial del arreglo hasta la dirección final y se completa indicando las áreas de memoria que están disponibles, su propósito y las que no lo están




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